场效应管功放电路怎么搭：从单端甲类到推挽的设计思路
做功放的朋友都知道，三极管（BJT）功放和场效应管（FET）功放各有各的味道。场效应管功放因为输入阻抗高、噪声低、失真特性跟电子管有点像，被很多烧友追捧。今天聊聊场效应管功放电路的几种常见结构和设计要点。
最简单的场效应管功放是共源极单端甲类电路，一个MOSFET加一个漏极电阻或者恒流源做负载，信号从栅极输入、漏极输出。这种电路结构简单，音质偏暖，但效率低，甲类工作状态下大部分功率都变成热量了，适合小功率耳放或者前级。
要提高效率就得用推挽结构。场效应管推挽功放一般用一对互补的MOSFET（N沟道和P沟道），正负半周分别导通，跟三极管的OCL电路类似。推挽电路的效率能到60%以上，输出功率也大，是主流的功放结构。
场效应管功放跟三极管功放最大的区别在驱动方式。三极管是电流驱动，需要基极电流；场效应管是电压驱动，栅极几乎不取电流，但栅极电容大，驱动级要能提供足够的充放电电流，否则高频响应上不去。推动级通常用三极管或者专用驱动芯片来搞定。
偏置电路是场效应管功放的关键。MOSFET的开启电压（Vgs(th)）离散性大，而且随温度变化，固定偏置很容易工作点漂移。常用的做法是用自适应偏置或者源极负反馈来稳定静态电流，有的还加温度补偿电路，防止热失控。
失真控制也是设计重点。场效应管的转移特性是平方律关系，产生的主要是偶次谐波，听感比较讨喜，但如果工作点没调好，会出现交越失真。推挽电路里给两个管子加一点静态偏置电流（甲乙类工作），能有效消除交越失真，代价是功耗稍微增加。
实际调试的时候建议从静态电流调起，先让管子工作在合适的静态点，再接入信号看波形。用示波器观察输出波形，削波、交越失真一眼就能看出来。散热也不能省，大功率场效应管要装足够大的散热片，最好涂点导热硅脂，不然管子很容易过热烧毁。
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